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15270896115Ishikawa式的攪拌和壓碎機（以下稱為Ishikawa式）是一種自動砂漿，可以被壓碎（壓碎，壓碎，壓碎），攪拌，分散，揉捏，揉捏和揉捏。它可以有效地處理各種材料，包括糊狀材料，粉末，高粘度漿，化學材料和高性能材料。
Ishikawa的樣式涉及磨削（成型，瓦解，研磨），攪拌，分散，揉捏，揉捏和混合，并使用機制來處理材料。這使得材料可以均勻，均勻（均勻分布）以實現(xiàn)高質量混合。從現(xiàn)在開始，我們將解釋技術來實現(xiàn)這種機制。
從長期使用的砂漿上方拍攝的照片
有一些痕跡表明，杵在整個迫擊板上均勻均勻地移動。
杵在旋轉時旋轉，杵本身在復雜的運動中旋轉。
這種運動允許對材料進行有效且均勻的磨削。
杵的這種運動創(chuàng)造了一條路徑，該路徑描繪了下面的環(huán)保曲線。
第一個技術是將表環(huán)曲線用于杵軌跡。這使杵可以在砂漿內均勻且密集地畫出軌跡。
此外，環(huán)保曲線從中心向外周邊和鍋中的外圍沿外圍繪制一個基因座，從而有效地攪拌了砂漿內的材料。
當藍色移動圓（旋轉圓圈）移動在淺藍色固定圓圈（靜態(tài)圓圈）上方移動時，一條環(huán)流曲線是移動圓上的恒定點繪制的路徑。
在右側的圖中，當恒定圓的半徑為3，而移動圓的半徑為1（橙色線）時，會繪制表周環(huán)曲線。
恒定圓半徑3 1移動圓半徑
右側的圖像顯示了基于微量機微小（橙色線）的規(guī)格繪制的表環(huán)曲線。固定圓的半徑是通過減去旋轉半徑旋轉半徑獲得的值，而移動圓的半徑設置為與旋轉半徑相同。
這種設計允許致密和均勻的杵軌跡。
我們機制之一是將這種表環(huán)曲線采用到杵軌跡中。
但是，設計就不允許杵通過砂漿的中心。
微小規(guī)格中的表環(huán)曲線
右側的圖顯示了微型痕量機器設備的橫截面視圖。
從這個圖中可以明顯看出，杵將牢留粘合到砂漿上。
此外，您可以看到杵的中心與砂漿底部的中心接觸。
到目前為止，即使杵旋轉并旋轉，也不會在砂漿底部的中心留下痕跡。
但是，通過如圖所示，通過對角線放置杵，可以穿過迫擊底的中心，并在整個砂漿中產生密集，均勻的軌跡。
第二個機制是將杵對角線連接到穿過砂漿底部的中心。
微型設備橫截面
通過結合這兩種機制，如下圖（橙線）所示，繪制了杵軌跡。
該圖顯示了痕量微小的砂漿上的杵軌跡。這種密集，均勻且均勻地繪制的軌跡在砂漿中允許對材料進行有效且均勻的研磨。
通過繪制這一軌跡，Tiny Trace Machine受到了研究和使用昂貴材料的開發(fā)人員的高度贊揚，因為它甚至可以可靠地粉碎了少量（0.5G）的材料。同樣，杵軌跡的動畫在下面的右側顯示。
第三種技術是將春季內置到杵中。通過將彈簧納入杵中，可以預期以下效果：
（1） 在杵承受負載時，可能進行材料處理。
（2） 由于施加了負載，杵和砂漿總是彼此接觸，從而提高了磨削能力并提高了手工作品的可重復性。
通過在施加載荷時繪制杵和加工的軌跡，即使是少量（0.5g）的材料也可以可靠地粉碎。
請參閱上圖，“小設備橫截面視圖"。
Ishikawa風格具有其他公司產品中未找到的處理特性。
Ishikawa樣式使用了杵基因座的環(huán)保曲線，在迫擊中形成了一個密集，統(tǒng)一甚至基因座。這使您可以復制手工皮膚的過程。此外，由于使用類似于手擊的力進行處理，因此也有人說攪拌和壓碎時可能發(fā)生的材料結構不太可能發(fā)生。
它可以被壓碎（壓碎，分解），攪拌，分散，混合和揉捏。杵經歷在自愿軌道上旋轉的旋轉運動，并將機械能施加到壓碎的顆粒（顆粒）上，從而使顆粒均勻地壓碎。這使得迫擊中的整個材料都可以均勻，均勻地處理。也可以將不同的材料均勻地沉積在顆粒表面上。
Ishikawa風格使您可以調整杵運動的力和速度，并以中等的速度進行處理。這使得意外化學變化的可能性較小，這是由于加熱過程中突然產生或撞擊而發(fā)生的。一些產品具有加熱和冷卻功能，可以在促進和抑制化學反應的同時進行處理。
可以將晶粒尺寸縮小到不太細且適合您的應用的尺寸，例如從次級顆粒到主要顆粒的處理。其他材料可以將其混合成硬材料，例如顆粒的碳納米管。
Ishikawa風格不僅擅長處理粉末和硬材料，而且還擅長于粘性材料。 Ishikawa的風格允許均勻的粉末和液體糊狀，這些粉末和液體易于技巧。兼容的治療粘度最高可達100萬m pa sec（可以治療由Shin-Atsu化學工業(yè)制造的KF96）。這允許對在攪拌和壓碎過程中粘度變化的材料產生靈活的響應。
除了使用治療特征5處理高粘體外，具有真空功能的產物還可以降低高粘性體。
